“第三代半导体材料与器件”重大科技专项项目

扶持方式:现金补助,荣誉资质 实行地:北京市

项目级别: 国家级申报时间: 2018/10/15 到 2018/11/15


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政策扶持

根据现有政策,申请成功后,可以享受如下政策优惠: 资助额度: 支持强度:每个专题拟资助 3000-5000 万元,拟支持不超过 2-4个项目立项。 (开放性研究专题:支持强度和数量: 根据专项年度总体安排和项目实际情况给予支持。)

政策详述

申请条件
  • (一) 申报单位主要为广东省内注册的创新主体,包括科研院所、高校、企事业单位和行业组织等;鼓励港澳地区高校院所作为牵头单位或独立申报;欢迎全国具备相应条件和能力的企事业单位申报,项目评审与立项过程按照相关规定与广东省内单位平等对待。

  • 鼓励以企业为主体,产学研结合,联合相关优势单位进行申报。

  • 如企业作为牵头单位,必须是高新技术企业或大型龙头骨干企业,建有研发机构,在本领域拥有国家级、省部级重大创新平台,且以本领域领军人物作为项目负责人,项目总投入中自筹经费一般不少于70%。

  • 省外单位牵头申报的,与省内单位公平竞争,择优纳入科技计划项目库中管理;入库的项目在满足吸纳广东单位参与到项目研发中(承担的工作量不少于30%)、在广东注册落户或团队加入广东省内单位、科研成果向广东单位转移转化等条件之一后,正式列入省级科技计划,拨付项目资金。


  • (二) 项目内容真实可信,不得夸大自身实力与技术、经济指标,各单位须对申报资料的真实性负责,并提供申报材料真实性承诺函。项目一经立项,将根据申报书内容转化生成合同书,无正当合理的依据不予修改调整。


  • (三) 有以下情形之一的项目负责人或申报单位不得进行申报或通过资格审查:

  • 1.项目负责人或企业法人有广东省级科技计划项目3项以上(含3项)未完成结题的或有项目逾期一年未结题的(平台类、普惠性政策类、后补助类项目除外);

  • 2.在省级财政专项资金审计、检查过程中发现重大违规行为的;

  • 3.同一项目通过变换课题名称等方式进行多头申报的;

  • 4.项目主要内容已由该单位单独或联合其他单位申报并已获得省科技计划立项的;

  • 5.省内单位项目未经主管部门组织推荐的;

  • 6.在国家、省、市科技计划信用信息以及纪检监察部门提供的涉案信息中有不良记录的。


  • (四) 申报单位应认真做好经费预算,按实申报,且应符合申报指南有关要求。

常见问题

1.问题:“第三代半导体材料与器件”重大科技专项申报时间是什么时候? 

 答:重点领域研发计划项目申报常年有效,采取“集中申报集中处理”与“常年申报分批处理”相结合的方式。2018年11月15日前提交的项目将作为首批启动组织项目,主管部门网上审核推荐截止时间为2018年11月19日。

2.问题:“第三代半导体材料与器件”重大科技专项专题有哪些?

 答:专题一: 6-8 英寸 4H-SiC 衬底产业化关键技术研究

专题二:高良率 SiC 外延稳定制造技术以及其在大功率器件的研发和应用

专题三:Si 衬底上 GaN 基功率器件的关键技术研究及应用

专题四:新型高频低损耗体声波滤波器关键材料与器件研发及应用

专题五:硅基 AlGaN 垂直结构近紫外大功率 LED 外延与芯片研究及应用

专题六:功率半导体器件封装材料和模组应用研究及产业化

专题七:开放性研究(展第三代半导体材料和器件相关领域的基础理论及关键技术研究或行业创新应用[不含专题一至六]。)


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